ICP工艺工程师（红光）

岗位职责 一、工艺开发与优化 1、负责红光LED芯片（GaAs/InP/AlGaInP等体系）ICP刻蚀工艺的开发、调试与持续优化； 2、针对 mesa 刻蚀、欧姆接触孔刻蚀等关键制程，调整气体配比、RF功率、腔室压力等参数，解决侧壁粗糙度、刻蚀速率不均、微负载效应等问题，提升芯片光效与可靠性。 3、主导新工艺、新气体或新掩膜材料的评估与导入，完成DOE实验验证并输出标准化工艺窗口。 二、量产支持与良率提升 1、监控产线ICP设备的SPC数据，分析刻蚀后图形尺寸（CD）、形貌及光电性能（IV、光谱、漏电流）的异常波动。 2、主导刻蚀相关工艺异常（如刻蚀残留、过刻、侧壁损伤）的根因分析（Root Cause Analysis），制定并落实改善措施，确保量产良率达标。 3、协同光刻、薄膜、封装等部门，解决跨工序的集成问题，支持新产品从研发到量产（NPI）的顺利导入。 三、设备维护与技术管理 1、配合设备工程师进行ICP刻蚀机的日常点检、PM（预防性维护）后的工艺复测及腔室状态确认，确保设备工艺稳定性。 2、编写并更新标准作业程序（SOP）、工艺控制计划（Control Plan）及FMEA文件，对操作员及助理工程师进行技术培训与考核。 3、负责刻蚀相关技术文档的归档、专利挖掘及竞品工艺分析。

一、教育背景 1、本科及以上学历，微电子、半导体物理、材料科学、光电信息、凝聚态物理等相关专业（条件优秀可放宽至大专学历）。 2、3年以上LED/化合物半导体Fab经验者优先。 二、专业技能 1、核心经验： 3年以上经验，（GaAs/InP/GaN）ICP/RIE刻蚀工艺经验，熟悉红光芯片Mesa刻蚀及介质层刻蚀者优先。 2、设备熟悉度： 熟练操作主流ICP设备（如Oxford、LAM、STS、北方华创等），了解设备硬件结构及匹配器原理。 3、分析能力： 精通DOE实验设计，熟练使用JMP/Minitab等统计工具进行数据分析；掌握SEM、AFM、台阶仪、椭偏仪等表征手段。 4、理论基础： 深刻理解等离子体物理、表面化学反应机理及III-V族材料刻蚀特性。