外延研发资深工程师（氮化镓GaN）-福州

工作职责1.技术战略与规划 ① 制定GaN基外延研发技术中长期路线图，覆盖VCSEL、HBT、pHEMT、光探测器等方向。 ② 跟踪前沿技术动态，主导新技术、新外延结构的预研与评估。 ③ 统筹部门核心技术自主研发路径，构建并优化外延研发技术体系。 2.外延结构与工艺开发 ① 主导外延结构设计与开发（MQW、异质结、超晶格等）。 ② 负责MOCVD/MBE外延工艺的开发、调试与优化，制定标准化流程。 ③ 运用XRD、PL、ECV、Hall、TEM、SIMS等手段进行材料特性评估与反馈。 ④ 牵头外延技术难题攻关，解决工艺异常与材料缺陷。 3.研发项目管理 ① 负责外延研发项目全生命周期管理（立项、排期、进度、结项等）。 ② 协调外延、芯片、器件等部门协同推进。 ③ 主导DOE设计及数据分析，识别技术风险，确保项目按时按质交付。 4.量产导入与良率提升 ① 负责外延新产品试制及量产导入。 ② 主导外延工艺持续优化与标准化，提升成品率与量产能力。 ③ 推动工艺从研发到量产平稳过渡，建立量产控制体系与质量标准。 5.团队建设 ① 负责研发技术部组织架构搭建与优化，统筹招聘、培训、考核及人才发展。 ② 建立研发流程规范与设计标准，为团队提供技术指导，持续提升研发能力。 6.跨部门协同与知识产权 ① 与芯片、器件、封测、市场等部门协作，确保技术方案与产品需求匹配。 ② 主导核心专利布局与技术壁垒建设，输出设计文档与技术报告。 ③ 组织竞品特性分析，输出相关技术报告。

1.教育背景 本科及以上学历。材料科学与工程、物理、微电子、光电子、半导体物理、化学工程等相关专业。 2.工作经验 ① 5年以上化合物半导体外延研发经验，其中3年以上外延研发团队管理经验。 ② 具备完整的GaAs基外延产品开发管理经验（结构设计→工艺开发→量产导入全流程）。 ③ 有VCSEL、HBT、pHEMT、光探测器等GaAs基光电器件外延成功开发及量产案例者优先。 3.专业技术能力 ① 精通MOCVD（或MBE）外延生长技术，熟悉设备操作、工艺参数控制与日常维护。 ② 深刻理解GaAs/InP等III-V族化合物半导体材料物理与外延生长机理。 ③ 熟练使用XRD、PL、ECV、Hall、TEM、SIMS等外延材料表征与分析手段。 ④ 熟悉外延结构设计方法，具备TCAD/Silvaco等器件仿真工具使用经验者优先。 ⑤ 了解光通信芯片/射频器件在模块与系统中的性能要求。 4.管理能力 ① 具备出色的战略思维与决策能力，能制定外延技术路线并推动落地执行。 ② 优秀的项目管理与跨部门沟通协调能力，能有效推动复杂技术项目的执行。 ③ 具备团队领导力与人才培养能力，能够吸引、激励和培养优秀技术人才。 5.综合素质 ① 具备以结果为导向的系统性思维和解决复杂技术问题的能力。 ② 出色的口头和书面沟通能力，能够向技术团队、管理层清晰阐述技术方案。 ③ 具备流畅的英文技术文献读写与沟通能力。