单晶生长工程师（碲锌镉/磷化铟方向）

1. 负责碲锌镉（CZT）、磷化铟（InP）单晶材料研发与量产工艺开发，主导单晶生长全流程；熟练运用VGF、布里奇曼法、LEC直拉法等工艺开展晶锭生长实验。 2. 长晶炉温场设计、优化调试，配比工艺摸索，解决晶体孪晶、夹杂、位错、组分偏析、缺陷超标等各类长晶常见问题，持续提升单晶率、良率与晶体质量。 3. 高纯原料预处理、合成、退火工艺开发；晶锭后续热处理工艺优化，建立完整晶体生长工艺规范SOP。 4. 跟进晶体表征测试：XRD、EBSD、红外透过、电阻率、位错密度、元素组分均匀性等，根据测试结果迭代长晶方案。 5. 记录实验数据，撰写实验报告、工艺文档；统筹长晶设备日常维护、工艺参数归档；配合晶圆切割、抛光、器件应用团队对接材料指标需求。 6. 参与新材料配方、新工艺路线预研，跟进行业前沿单晶生长技术，推进技术落地。 任职要求（核心硬性条件） 1. 材料科学、半导体材料、凝聚态物理、无机非金属等相关专业，硕士及以上学历； 2. 必备条件：拥有3年及以上碲锌镉(CZT) 或 磷化铟(InP)单晶生长实操经验；同时接触两类材料者优先； 重点：熟悉VGF/布里奇曼长晶炉整套操作，独立完成长晶工艺调试，有晶锭量产优化经验优先。 3. 精通化合物半导体单晶生长机理，理解温场、熔体动力学、相变、缺陷形成机制；能够独立定位长晶失效问题； 4. 熟悉晶体常用表征手段：红外测试、EBSD、Hall测试、金相、SEM等，能看懂检测数据并反向优化工艺； 5. 了解高纯半导体原料管控、真空设备、气氛控制系统基础原理； 6. 具备良好实验逻辑，文档规范，能够长期稳定深耕材料工艺； 7. 有晶体生长相关专利、项目成果、量产经验者优先；有探测器用CZT衬底/光通信InP衬底开发经验优先。 优先加分项 ✅ 同时做过碲锌镉 + 磷化铟两种晶体 ✅ 拥有单晶生长中试、量产线工作经历 ✅ 熟悉真空长晶炉设计、温场仿真（FEM等） ✅ 了解高纯稀散金属原料提纯工艺