全链条统筹管理部部长（碲镉汞制冷探测器方向）(J12632)

（一）全产业链工艺统筹与技术打通 1. 全权负责碲镉汞制冷探测器衬底→外延→器件→封装全链路工艺体系搭建与迭代，打通各工序技术壁垒，解决工序衔接、工艺匹配、参数适配等核心串扰问题。 2. 统筹衬底材料研发与管控，包括碲锌镉（ZnCdTe）衬底配方、晶格匹配、平整度、缺陷密度控制，制定衬底入料标准、加工规范及不良品判定体系，从源头把控原材料基底品质。 3. 主导外延生长工艺统筹，负责 MOCVD/LPE 碲镉汞外延生长工艺参数优化、厚度均匀性、组分均匀性、位错缺陷、表面粗糙度管控，建立外延片良率提升与工艺稳定机制。 4. 统筹芯片器件制程全流程，涵盖光刻、刻蚀、钝化、金属化、离子注入、退火等核心工艺，解决器件暗电流、响应率、均匀性、串扰等核心性能问题。 5. 负责真空制冷封装全流程管理，统筹杜瓦封装、真空维持、制冷机制备、引线键合、气密性封装工艺，管控探测器低温工作稳定性、真空寿命、可靠性指标。 （二）量产管理与良率提升 1. 搭建全工序量产工艺标准、SOP 作业规范、工艺参数台账，建立从材料入厂到成品出货的全流程工艺管控体系，实现标准化量产。 2. 牵头全链条良率提升专项，定位衬底缺陷、外延晶格失配、器件制程瑕疵、封装漏气 / 真空衰减等良率损耗关键点，落地改善方案，持续提升直通率与量产良率。 3. 统筹产线产能规划、设备稼动率优化、工序节拍匹配，协调各工段人力、设备、物料资源，保障订单按期交付，完成年度产能、产量目标。 （三）质量管控与可靠性体系搭建 1. 建立碲镉汞探测器专属质量体系，覆盖来料 IQC、工序 IPQC、成品 FQC、可靠性验证全环节，制定关键工艺检验标准、失效分析标准。 2. 主导客户质量异常、产线批量不良、工艺波动问题的根因分析（8D） ，制定纠正预防措施，形成工艺知识库，杜绝同类问题复现。 3. 统筹产品高低温、冷热冲击、真空寿命、长期老化等可靠性测试，保障航天、工业级制冷探测器合规性与稳定性。 （四）项目管理与技术迭代 1. 负责新品研发、工艺升级、国产化替代、技术攻关专项的整体统筹，制定项目节点、拆解任务、跟进落地，保障研发转中试、中试转量产顺利推进。 2. 跟踪行业碲镉汞制冷探测器前沿技术，对标行业头部产品，主导新工艺、新设备、新材料导入，完成产品性能迭代（高灵敏度、大面阵、低暗电流、长寿命制冷探测器）。 3. 负责技术文档体系搭建，统筹工艺文件、检验标准、专利、技术成果的梳理与申报，沉淀公司核心技术资产。 （五）团队管理与跨部门协同 1. 全面管理衬底、外延、器件、封装四大工段团队，搭建梯队架构，制定培训体系、绩效考核机制，提升团队工艺能力与执行力。 2. 对接研发中心、设备部、供应链、质检部、销售交付部，协调设备改造、物料采购、质量审核、订单排产等跨部门工作。 3. 配合客户、第三方检测机构完成技术对接、现场审核、样品送检及技术答疑工作。

（一）学历与专业 1. 统招硕士及以上学历，半导体物理、微电子、光电工程、材料科学、凝聚态物理等相关专业。 2. 本科优秀 5 年以上行业资深经验可破格考虑。 （二）核心从业经验（硬性要求） 1. 5 年以上碲镉汞制冷红外探测器行业经验，3 年以上全链条工段统筹 / 工艺管理 / 量产管理经验。 2. 完整精通碲镉汞业务四大环节：熟练掌握 ZnCdTe 衬底制备与选型、碲镉汞外延生长工艺、红外探测器芯片器件制程、杜瓦真空制冷封装工艺，清晰掌握各工序瓶颈与串扰逻辑。 3. 具备中试转量产、产线良率爬坡、全流程工艺体系搭建成熟经验，有大面阵、高可靠制冷探测器量产统筹经验者优先。 4. 熟悉半导体洁净厂房管理、精密光电器件工艺管控、真空封装工艺、低温器件可靠性管控体系。 （三）专业能力要求 1. 精通碲镉汞探测器核心性能指标管控：暗电流、响应率、探测率、不均匀性、真空寿命、低温稳定性等，可独立解决全链条工艺异常问题。 2. 熟练掌握半导体工艺失效分析方法、8D 改善、DOE 工艺实验、参数迭代优化方法，具备极强的问题定位与闭环能力。 3. 熟悉航天红外探测器质量标准、可靠性验证规范，具备军品项目交付统筹经验。 4. 具备优秀的项目统筹、资源整合、跨部门协调能力，可同时推进技术攻关、量产管控、团队管理多项工作。 （四）综合素质要求 1. 具备全局思维，可统筹全产业链工序，规避单一工段优化、整体链条失衡的行业常见问题。 2. 抗压能力强，可承接量产攻坚、技术攻关、紧急订单交付等高强度工作。 3. 具备团队搭建、人才培养、体系化管理思维，擅长标准化、流程化、数据化管理。 4. 无行业不良从业记录，能够适应涉密项目管理要求（优先具备涉密工作经验者）。