职位解读

DRAM电路设计工程师-DRAM Circuit Design Engineer是长鑫存储在上海闵行发布的互联网/IT岗位，薪资范围薪资面议。该岗位要求3-5年经验、硕士学历，工作地点位于上海闵行。长鑫存储作为相关企业，其招聘节奏侧面反映该行业在上海的人才需求热度。薪资谈判时，可参考同城市同行业岗位的薪酬区间，结合个人能力与经验争取合理报价。岗位职责包括：1. 存储架构评估与优化：评估并优化前沿技术中的存储架构与方法论，推动产品性能与效率提升； 2. 全定制电路设计：设计存储产品中IP模块的全定制电路，确保电路性能与功耗目标达成； 3. 功能与性能验证分析：对存储器的功能与性能进行仿真、验证与分析，确保设计满足规格要求； 4. 版。任职要求为：1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、集成电路或相关专业毕业，深入理解数字/模拟电路及CMOS器件物理； 2. 专业技能与资格：能使用Spectre、finesim、Hspice、Virt。